بررسی فعالیت سطحی و تعین مقدار رسانایی پلی آنیلین عامل دار شده‌ی محلول در آب

نوع مقاله: پژوهشی

نویسندگان

1 کارشناس ارشد شیمی فیزیک، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران، ایران

2 استادیار شیمی فیزیک، دانشکده شیمی، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران، ایران

3 استادیار شیمی تجزیه، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران، ایران

چکیده

پلی‌آنیلین محلول در آب به وسیله‌ی سولفون‌دار کردن پلی‌آنیلین با یون‌های با بار مخالف متفاوت سنتز می‌شود. در این مقاله نمک امرا‌ل‌دین با یون‌ با بار مخالف -Cl با استفاده از کلرو سولفونیک اسید به پلیمر عامل‌دار شده‌ی محلول در آب تبدیل می‌شود.. در این مقاله ابتدا به روش سنتز این پلیمر و شناسایی آن پرداخته می‌شود و سپس فعالیت سطحی این پلیمر مورد بررسی قرار می‌گیرد. سپس با استفاده از طیف‌بینی بازتاب انتشار به بررسی مقدار رسانایی این پلیمر پرداخته می‌شود.

کلیدواژه‌ها


[1] MacDiarmid, A.G.; Chiang, J.C.; Halpern, M.; Huang, W.S.; Mu, S.L.; Somasiri, N.L.D.; Wu, W.; Yaniger, S.I.; Mol. Cryst. Liq. Cryst., 121, 173, 1985.
[2] MacDiarmid, A.G.; Chiang, J.C.; Synth. Met., 13, 193, 1986.
[3] Cao, Y.; Andreatta, A.; Heeger, A.J.; Smith, P.; Polymer, 30, 2305, 1989.
[4] Cao, Y.; Smith, P.; Heeger, A.J.; Synth. Met., 48, 91, 1992.
[5] Chevalier, J.W.; Bergeron, J.Y.; Dao, L.H.; Macromolecules, 25, 3325, 1992.
[6] Abe, M.; Ohtani, A.; Umemoto, Y.; Akizuki, S.; Ezoe, M.; Higuchi, H.; Nakamoto, K.; Okuno, A.; Noda, Y.; J. Chem. Soc., Chem. Commun., 1736, 1989.
[7] Yue, J.; Epstein, A.J.; J. Am. Chem. Soc., 112, 2800, 1990.
[8] Yue, J.; Wang, Z.H.; Cromack, K.R.; Epstein, A.J.; MacDiarmid, A.G.; J. Am. Chem. Soc., 113, 2665, 1991.
[9] Chen, S.A.; Hwang, G.W.; J. Am. Chem. Soc., 116, 7939, 1994.
[10] Chen, S.A.; Hwang, G.W.; J. Am. Chem. Soc., 117, 10055, 1995.
[11] Chan, H.S.O.; Ho, P.K.H.; Ng, S.C.; Tan, B.T.G.; Tan, K.L.; J. Am. Chem. Soc., 117, 8517, 1995.
[12] Shimizu, S.; Saitoh, T.; Uzawa, M.; Yuasa, M.; Yano, K.; Maruyama, T.; Watanabe, K.; Synth. Met., 84-86, 1337, 1997.
[13] Lee, W.; Du, G.; Long, S.M.; Epstein, A.J.; Shimizu, S.; Saitoh, T.; Uzawa, M.; Synth. Met., 84-86, 807, 1997.
[14] Özgür, Ü.; et al., J. Appl. Phys., 98, 041301, 2005.
[15] Bagnall, D.M.; et al., Appl. Phys. Lett., 70, 2230, 1997.
[16] Aoki, T.; Hatanaka, Y.; Look, D.C.; Appl. Phys. Lett., 76, 3257, 2000.
[17] Boemare, C.; Monteiro, T.; Soares, M.J.; Guilherme, J.G.; Alves, E.; Physica B., 308–310, 985, 2001.
[18] Pal, U.; Samanta, D.; Ghorai, S.; Chaudhuri, A.K.; J. Appl. Phys., 74, 6368, 1993.
[19] Barton, D.G.; Shtein, M.; Wilson, R.D.; Soled, S.L.; Iglesia, E.; J. Phys. Chem. B., 103, 630, 1999.
[20] Kubelka, P.; Munk, F.; Z. Tech. Phys. 12, 593, 1931.