بررسی پاک‌سازی شیمیایی رسوب آلاینده از سطح‌های سیلیسیم و کروم دستگاه‌های صنعتی با استفاده از عامل‌های کی‌لیت‌کننده

نوع مقاله: پژوهشی

نویسندگان

1 استاد شیمی کاربردی، دانشکده شیمی، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد تهران شمال، تهران، ایران

2 کارشناس ارشد شیمی کاربردی، دانشکده شیمی، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد تهران شمال، تهران، ایران

چکیده

در این پژوهش به منظور پاک‌سازی آلودگی‌های سرب از سطح‌های سیلیسیمی و کرومی دستگاه‌های صنعتی، از محلول پاک‌کننده‌ای شامل هیدروژن پراکسید (به عنوان عامل اکسید‌کننده) و نمک دی سدیم EDTA (اتیلن دی آمین تترا استیک اسید) به عنوان عامل کی‌لیت‌کننده استفاده شد. طیف‌های UV محلول پاک‌کننده پس از پاک‌سازی آلودگی‌های سرب، نشان داد که کمپلکس (Pb(EDTA در محلول تشکیل شده است، که تشکیل این کمپلکس می‌تواند در جلوگیری از بازجذب سرب بر سطح‌های فلزهای پایه دستگاه‌های صنعتی نقش مهمی را ایفا کند. با استفاده از بررسی تصویرهای میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) می‌توان دریافت که محلول پیشنهاد شده در شرایط انتخاب شده برای حذف آلودگی‌های سرب، به سطح فلز پایه آسیب نمی‌زند و محلول مناسبی برای این فرایند خواهد بود.

کلیدواژه‌ها


[1] فریمن، د. پ؛ فسفات کاری و آماده سازی سطوح فلزی، انتشارات آنزان، ایران؛ چاپ اول، صفحه‌ی 78-67؛ 1377.
[2] مفیدی، جمشید؛ اصول خوردگی و حفاظت فلزات، انتشارات دانشگاه تهران، ایران؛ چاپ دوم، صفحه‌ی 331-325؛ 1383.
[3] کثیری‌ها، محمود؛ ذبیحی، حسین؛ آماده سازی سطوح فلزی، انتشارات دانشگاه صنعتی امیر کبیر، ایران؛ چاپ اول، صفحه‌ی 60-57؛ 1365.

[4] Gholivand, Kh; Khosravi, M; Hoseeeini,G; 

Fathollahi, M; Applied Surface Science; 256, 7456-7461; 2010.
[5] Scheuerlein, C; Taborelli, M; Applied Surface Science; 252, 4279-4288; 2006.
[6] Lu, Z; Lee, S-H; Mativejic, E; Journal of Colloid and Interface Science; 261, 55- 64; 2003.
[7] Ryuta, J; Yashimi, T; Kando, H; Okunda, H; Shimanuk, Y; Japanese Journal of Applied Physics; 31, 2338-2342; 1992.
[8] Fujiwara, N; Liu, Y; Nakamura, T; Maida, O; Takahashi, M; Kobayashi, H; Applied Surface Science; 235, 372-375; 2004.
[9] Liu, Y; Fujiwara, N; Iwasa, H; Takahashi, M; Imai, Sh; Kobayashi, H; Surface Science; 600, 1165-1169; 2006.
[10] Takahashi, M; Liu, Y; Narita, H; Kobayashi, H; Applied Surface Science; 245, 3715-3720; 2008.
[11] Takahashi, M; Liu, Y; Fujiwara, N; Iwasa, H; Kobayashi, H; Solid State Communications; 137, 263-265; 2006.
[12] Knepper, T.P; Trends in Analytical Chemistry; 22, 708-722; 2003.
[13] Hung, M; Tia, CH; Journal of Materials Processing Technology; 110, 1-9; 2001.
[14] Pourmortazavi, M; Fathollahi, M; Separation Science and Technology; 39, 1953-1965; 2004.